Combinaison de TLC à 1000 P / E Cycles?

            

Toshiba a annoncé la semaine dernière ses premières puces de mémoire flash 3D NAND avec l'architecture BiCS QLC (quadruple niveau cell). Les nouveaux composants comportent 64 couches et les développeurs de SSD et SSD ont déjà reçu des échantillons de périphériques, que Toshiba envisage d'utiliser pour différents types de solutions de stockage.

Les premières puces NAND 3D QLC de Toshiba disposent d'une capacité de 768 Gb (96 Go) et utilisent 64 couches, tout comme les puces BICS3 de l'entreprise avec des capacités de 256 Gb et 512 Gb lancées en 2016 et 2017. Toshiba ne partage pas de détails sur sa 3D QLC NAND IC (circuit intégré), tel que la taille de la page, le nombre de plans ainsi que le taux de transfert des données de l'interface, mais s'attendent à ce que ce dernier soit suffisamment élevé pour créer des SSD compétitifs à la fin de 2018 au début de 2019 (c'est notre hypothèse). En ce qui concerne les applications que Toshiba s'attend à utiliser ses circuits intégrés 3D QLC NAND, le fabricant de la mémoire flash mentionne les SSD, les tablettes et les cartes mémoire de l'entreprise et du consommateur.

Endurance ++

Outre l'intention de produire 768 Gb 3D QLC NAND flash pour les dispositifs susmentionnés, la partie la plus intéressante de l'annonce de Toshiba est la spécification d'endurance pour les composants à venir. Selon la société, son NLC QLC 3D est ciblé pour ~ 1000 programmes / cycles d'effacement, qui est proche du flash TLC NAND. Ceci est considérablement supérieur à la quantité de cycles P / E (100 – 150) attendus pour QLC par l'industrie au cours des années. À première vue, il s'agit d'une faute de frappe – ne voulaient-ils pas dire 100? Mais le courrier électronique …

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